Схема включения транзистора и виды

Принцип работы большинства полупроводниковых приборов основывается на свойствах электронно-дырочного перехода p-n – перехода. Эмиттер и коллектор обычно рисуют с одной стороны, базу с другой, но у многоэмиттерных, многоколлекторных и многобазных это правило может не выполняться. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком.

Ток стока в области насыщения uзи = 0 и при заданном напряжении исиназывают начальным током стока и обозначают через ic нач. Канал «исток-сток» ведет себя как резистор, чье сопротивление управляется напряжением на затворе транзистора. Поэтому в рабочем режиме ток затвора примерно равен нулю (iз ? 0), а ток стока практически равен току истока. На ширину р-n-перехода и толщину канала прямое влияние также оказывает напряжение между истоком и стоком. Дополнительные сведения: Электронная лампа До разработки транзисторов, вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были главными активными компонентами в электронном оборудовании. По принципу работы наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор. При этом полный ток базы транзистора на высокой частоте много больше полного тока базы на низкой частоте и, тем более, на постоянном токе.
Общие параметры полевых транзисторовМаксимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток. Включение n-p-n транзистора совершенно аналогично включению p-n-p транзистора, однако в данном случае придётся поменять полярность обоих источников питания. Направление стрелки обозначает проводимость структуры, к которому подведён электрод: внутрь — p, наружу — n, и тем самым определяет тип проводимости прибора.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.